1. FJY3014R
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FJY3014R 

产品描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

内部编号

3-FJY3014R

#1

数量:14644
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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FJY3014R产品详细规格

规格书 FJY3014R datasheet 规格书
文档 Mold Compound 20/Aug/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 4.7k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 68 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率转换 250MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-89, SOT-490
供应商器件封装 SOT-523F
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-523F
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 68@5mA@5V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SOT-523F
标准包装名称 SOT-523F
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 4.7
引脚数 3
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.3@0.5mA@10mA
最大功率耗散 200
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
典型电阻器比率 0.1
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
频率 - 转换 250MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 4.7k
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SOT-523F
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 200mW
封装/外壳 SC-89, SOT-490
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 68 @ 5mA, 5V
其他名称 FJY3014RTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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